碳化硅氧化炉 真空退火炉 晨立电子

主要技术参数                            

◆工艺管数量：可根据客户需求制作为1-4管

◆工艺管口径：Φ90-360mm（3～12英寸）

◆气体流量设定精度:±1％F.S

◆气路系统气密性： 1×10-7pa.m3/s

◆结构型式：卧式热壁型或立式

◆工作温度范围：400～1280℃

◆恒温区长度及精度±0.5℃/1080mm

◆工艺均匀性:≤±5％（30~60欧姆）

◆超净工作台：净化等级：100级（万级厂房）

         噪音：≤62dB（A）

       震动：≤3μm

◆控制方式： 工业微机控制

◆记录工艺曲线数量及工艺步数不受限制